Navitas Semiconductor Corp.
ISIN US63942X1063
|WKN A3C5RC
Marktkapitalisierung (in EUR)
317.87 m
Land
United States
Sektor
Technology
Dividendenrendite
0.00%
Übersicht
Beschreibung
Navitas Semiconductor Corp. engages in the development of ultra-efficient gallium nitride (GaN) semiconductors. Its GaN power ICs integrate GaN power with drive, control and protection to enable charging, power density, and energy savings for mobile, consumer, enterprise, eMobility and new energy markets. The company was founded by Daniel Kinzer, Nick Fichtenbaum, Gene Sheridan, and Jason Zhang on August 12, 2020 and is headquartered in Torrance, CA.
Technology Electronic Components and Manufacturing Semiconductor Manufacturing United States
Finanzkennzahlen
Kennzahlen
| Marktkapitalisierung, EUR | 317.87 m |
| Gewinn je Aktie, EUR | -0.49 |
| KBV | 1.05 |
| KGV | 12.66 |
| Dividendenrendite | 0.00% |
Gewinn- und Verlustrechnung (2024)
| Umsatz, EUR | 77.01 m |
| Jahresüberschuss, EUR | -78.21 m |
| Gewinnmarge | -101.56% |
In welchen ETFs ist Navitas Semiconductor Corp. enthalten?
Navitas Semiconductor Corp. ist in 14 ETFs enthalten. Diese ETFs sind in der folgenden Tabelle aufgelistet. Der ETF mit dem größten Navitas Semiconductor Corp.-Anteil ist der First Trust Nasdaq Clean Edge Green Energy UCITS ETF Acc.
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— Die verwendeten Daten werden bereitgestellt von Trackinsight, etfinfo, Xignite Inc., gettex, FactSet und justETF GmbH.
Kurse sind entweder Realtime- (gettex) oder 15 Minuten zeitverzögerte Börsennotierungen oder NAVs (täglich vom Fondsanbieter veröffentlicht). Die Wertentwicklungsangaben für ETFs beinhalten standardmäßig Ausschüttungen (falls vorhanden). Es wird keine Gewähr für die Vollständigkeit, Genauigkeit und Richtigkeit der dargestellten Informationen übernommen.
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